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真空电子技术

《真空电子技术》杂志,由北京真空电子技术研究所主办,中国电子科技集团公司主管,于1959年创刊,双月刊,中文,CN:11-2485/TN,ISSN:1002-8935。

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真空电子技术
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部级期刊

收录/荣誉

杂志介绍

审稿周期
约1个月内
年发文量
101
影响因子
0.38
总被引量
340
期刊他引率
0.71

真空电子技术是由北京真空电子技术研究所主办、国内外公开发行的学术期刊,国内统一连续出版物号为11-2485/TN,国际标准连续出版物号为1002-8935,出版周期为双月刊,长期聚焦自然科学与工程技术、信息科技、无线电电子学等前沿动态与实践创新,重点刊发原创性研究论文、综述报告、案例分析及教学方法探讨等成果。

真空电子技术一级发文领域广泛涵盖电子电信、一般工业技术、电气工程、理学、化学工程、自动化与计算机技术、经济管理、机械工程、金属学及工艺、文化科学等学科门类,主要刊载这些领域下的基础理论、应用研究与前沿交叉成果。为进一步明确收稿方向,本刊基于近年来的发文量与学术被引表现,在二级发文层面上重点关注但不限于以下具体方向:电子电信 / 物理电子学、电子电信 / 信息与通信工程、理学 / 物理、一般工业技术 / 真空技术、电气工程 / 电力电子与电力传动、一般工业技术 / 材料科学与工程、化学工程 / 硅酸盐工业、化学工程 / 陶瓷工业、理学 / 电子物理学、电子电信 / 电路与系统。投稿文章须属于上述一级发文领域中的任一学科,并且研究主题明确归属于所列二级方向之一,或与之紧密相关。对于明显偏离上述一级领域或二级方向的稿件,编辑部将作退稿或建议转投处理。本刊鼓励作者在投稿前仔细比对自己的研究主题是否与上述高发文量、高被引量的方向相契合,以提升稿件送审与录用的效率。

真空电子技术主要资助课题包括:国家教育部博士点基金(20030286003)、国家自然科学基金(21176256)、国家重点基础研究发展计划(2003CB314706)、国家重点基础研究发展计划(2003CB314702)、国家自然科学基金(11205026)、国家杰出青年科学基金(61125103)、国家自然科学基金(61102044)、国家自然科学基金(11175137)、国家自然科学基金(61161002)、国家重点基础研究发展计划(2013CB328901)。欢迎具有理论深度、实证支撑或交叉学科视角的稿件。投稿时请注意:稿件必须为未公开发表的原创作品,杜绝抄袭、剽窃等学术不端行为;严禁一稿多投,一经发现将立即退稿。真空电子技术全体编辑同仁期待海内外学者不吝赐稿,共同推动信息科技行业领域的学术繁荣与创新发展。

期刊评价

名词解释:

年发文量(Annual number of articles):指真空电子技术在一个自然年内发表的所有文章的总篇数。

影响因子(Impact Factor, IF):指该期刊前两年发表的文章,在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。

被引半衰期(Cited Half-life):真空电子技术的被引半衰期数值越大,说明该刊的论文影响力越持久、越经典。用于衡量期刊论文的影响持久性。

引用半衰期(Citing Half-life):引用半衰期数值越小,则该刊引用的大部分文献都很新,紧追踪前沿热点。数值越大,则该刊经常引用较老的、经典的文献。


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